Processadores chegam ao patamar dos 7 nanômetros

Antes apontado como o "limite físico da microeletrônica", o patamar dos 10 nanômetros foi superado.

Engenheiros da IBM e da Samsung conseguiram fabricar chips com detalhes de apenas 7 nanômetros.

Os transistores foram construídos com uma liga de silício e germânio, em lugar do silício dopado convencional.

Com essa miniaturização, logo será possível colocar cerca de 20 bilhões de transistores em um único chip, ampliando a validade da bem conhecida Lei de Moore.

Os processadores mais modernos têm componentes na faixa dos 14 nanômetros, enquanto a engenharia dos 10 nanômetros está quase pronta para ir para a escala industrial. Menos do que isso, porém, usando apenas silício, exigiria mudanças tecnológicas ainda por serem desenvolvidas.

Transistores 3D de SiGe

A solução veio com o uso de uma liga de silício e germânio (SiGe) - que permite uma maior mobilidade dos elétrons do que o silício puro - para fabricar transistores do tipo FinFET, uma estrutura mais complexa de transístor 3D, na qual cada componente tem duas portas.

O avanço também permitiu aumentar a densidade dos transistores por área do chip, colocando os transistores a apenas 30 nanômetros uns dos outros.

Os transistores de 7 nanômetros são o primeiro fruto de um esforço anunciado pela IBM há pouco mais de um ano, no qual serão investidos US$3bi para chegar à era pós-silício.
Fonte-inovacaotecnologica